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SH8K3TB1 |
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) | Rohm Semiconductor | 10168 | 鐢佃瘽锛�0755-83217923 询价QQ: ![]() |
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SH8K3TB1参数 产品类别:分离式半导体产品-FET - 阵列 说明:MOSFET N-CH DUAL 30V 7A SOP8 包装数量:2500 包装形式:带卷 (TR) PDF资料下载: ![]() FET 型:2 个 N 沟道(双) FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):30V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:7A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:24 毫欧 @ 7A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):2.5V @ 1mA 闸电荷(Qg) @ Vgs:11.8nC @ 5V 输入电容 (Ciss) @ Vds:600pF @ 10V 功率 - 最大:2W 安装类型:表面贴装 |
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热门型号: 通用嵌入式开发板和TMDXEVM6678L 逻辑 -计数器,除MC74HC161ADG 固定式2300HT-1R8-H 晶体管(BJT) MPSA43_D75Z PMIC - 稳压TPS73433DDCT 通孔电阻器RNF14BTD3K40 圆形6282-2SG-311 芯片电阻 - 表面ERA-6AEB474V DC DC ConVE-BT1-CY-B1 DC DC ConVE-21D-IU-F3 |