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元器件采购网 > S-391页 > FET - 阵列SH8K3TB1

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SH8K3TB1

8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) Rohm Semiconductor 10168 鐢佃瘽锛�0755-83217923
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SH8K3TB1参数
产品类别:分离式半导体产品-FET - 阵列
说明:MOSFET N-CH DUAL 30V 7A SOP8
包装数量:2500
包装形式:带卷 (TR)
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FET 型:2 个 N 沟道(双)
FET 特点:逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss):30V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:7A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:24 毫欧 @ 7A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大):2.5V @ 1mA
闸电荷(Qg) @ Vgs:11.8nC @ 5V
输入电容 (Ciss) @ Vds:600pF @ 10V
功率 - 最大:2W
安装类型:表面贴装

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